来源：雪球App，作者： Li-Chase，（https://xueqiu.com/9279262350/161173702）
隔日更计划开始
笔者周末在逛屏库时看到一个不在自己知识范围体系的TFT技术，名叫CG Silicon TFT。这个技术由Sharp所开发，且主要运用于TFT-LCD小尺寸面板上。根据Sharp在2018年10月的宣传稿件所言，CGSi技术和传统LTPS 和 a-Si相比，CG Si有更快的电子传输速度。由此来看，基于CG Si的显示屏应该更佳的省电节能。同时因为电子传输速度更高，所以应该更适用于电流驱动型电子器件，比如OLED。
对于显示屏面板的从业人员而言，显示屏面板TFT按照材料和工艺来分无非是单晶Si、低温多晶Si、无定形Si和氧化物半导体型器件。那么这个CG Silicon到底是个啥东西呢？如果他那么牛逼，为啥没有看到各个厂家进行跟进呢？
什么是CG Si？
CG Si 英文全称是ContinuousGrain Silicon，直译是连续晶胞硅。根据Sharp的宣传，该技术和常规的LTPS技术区别在于TFT内Si晶胞更大且Si原子排列更加的有方向性。从而该TFT有更快的电传导能力。
通过Google Patent搜索发现 Sharp在这个方向上有大量的布局，很难去找出它的真谛。所以为了快速的了解这个技术的原理，笔者转而求其次的求助于Google 学术，并专注去看来自于日本的研究文献。通过Google学术发现一篇2004年的文章有讨论过在大尺寸的玻璃上制作 CG Si的方式。那么在此，笔者会以该文章为基础来对CG Si技术来进行一定的讲解。
该文章中提到CG Si 和常规LTPS在制程上的区别在于a-Si沉积后，为了制作CG Si会旋涂一次Ni 溶剂、其后加热到450摄氏度到600摄氏度去诱导a-Si结晶、最后再用XeCl激光进行烧结以增强a-Si的结晶度。由此制作的CG Si TFT中，其Si晶胞尺寸比常规LTPS大15倍且取向角度差异小于10°。
从本质上看，该技术其实是LTPS技术中的金属诱导横向晶化法MIC/MILC: Metal Induced(Lateral) Crystallization 和固相晶化法(SPC: Solid Phase Crystallization)的一个结合改良技术。把每一个步骤分类后，其工作原理如下：
-.旋涂催化剂金属。该催化剂金属有和Si一样或类似的晶体结构类型和晶格常数(Ni 为 FCC Closed Pack类型)。该催化剂金属的结晶化温度要低于Si的结晶化温度。
-.其后加热到450摄氏度到600摄氏度去诱导a-Si结晶。催化金属先结晶，其后作为晶核去诱导a-Si进行结晶。通过保持较长的烘烤时间以确保晶胞的生产。
-.最后再用XeCl激光进行烧结以增强晶苞的结晶度，如对晶界进行重排以减少电子在通过晶界时被散射。
But，该技术也会存在一定缺点:
-.在Ni等金属催化剂的作用下, 短时间内使得非晶硅再结晶。其缺点在于金属沉积部位有金属污染，从而在TFT长期使用中其Ni会析出从而导致器件稳定性下降。
-.因为需要长时间的高温退火，所以其需要更高规格的玻璃。
-.貌似还是有漏电流。
所以，这个也许就是别的厂家没有跟进的原因吧。
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$夏普(SHCAY)$
阅读文献:
Toshio Mizuki, etc, Large Domains of Continuous Grain Silicon on Glass Substrate for High-Performance TFTs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 51, NO. 2, FEBRUARY 2004